普冉股份3月20日晚间公告，公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NORFlash全系列产品研发完成并成为量产交付主力，晶圆良率达到95%以上，实现了对公司原有55nm工艺节点下的NORFlash产品的升级替代；车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核，首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付；新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型，已实现量产。支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROML 普冉股份3月20日晚间公告，公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NORFlash全系列产品研发完成并成为量产交付主力，晶圆良率达到95%以上，实现了对公司原有55nm工艺节点下的NORFlash产品的升级替代；车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核，首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付；新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型，已实现量产。支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROML系列的128Kb产品率先进入市场，完成平台认证，并小批量交付首个手机客户项目。展开
关键词： 产品研发
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